[发明专利]TFT阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201810390106.5 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN108598088B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 崔珠峰 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠骁 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种TFT阵列基板及显示装置。该TFT阵列基板将扇出区内的分别与多条数据线对应的多条第二扇出线设置在第一金属层上,将扇出区内的分别与多条数据线对应的第一扇出线设置在第二金属层上,数据线与第二扇出线之间以及第二扇出线与第一扇出线之间通过过孔连接,第一金属层的表面电阻率大于第二金属层的表面电阻率,从而增大对应每一条数据线的扇出线整体的内阻,减少对应不同的数据线的扇出线之间的内阻差异性,从而在利用扇出线向多条数据线上提供数据信号时,各条数据线接收数据信号不会出现时序差异,有效提升产品的品质,且制作过程可靠性高,不会产生扇出线短路的风险。 | ||
搜索关键词: | 扇出线 数据线 表面电阻率 第二金属层 第一金属层 显示装置 内阻 扇出 接收数据信号 时序差异 数据信号 制作过程 差异性 短路 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括衬底(10)、设于衬底(10)上的第一金属层(20)及设于第一金属层(20)上方与第一金属层(20)绝缘的第二金属层(30);所述第二金属层(30)包括多条平行且间隔的数据线(31)及分别对应多条数据线(31)的多条第一扇出线(32),所述第一扇出线(32)与其对应的数据线(31)间隔;所述第一金属层(20)包括分别与多条数据线(31)对应的多条第二扇出线(21);所述TFT阵列基板具有依次设置的有效显示区(101)及扇出区(102),多条数据线(31)均位于有效显示区(101)且具有延伸至扇出区(102)的端部,多条第一扇出线(32)及第二扇出线(21)均位于扇出区(102);所述数据线(31)延伸至扇出区(102)的端部在竖直方向的投影与对应的第二扇出线(21)的部分重叠并经一对应的第一过孔(41)与该第二扇出线(21)电性连接;所述第一扇出线(32)的部分在竖直方向的投影与对应的数据线(31)所对应的第二扇出线(21)的部分重叠并经一对应的第二过孔(42)与该第二扇出线(21)电性连接;多条第二扇出线(21)位于对应的第一过孔(41)与对应的第二过孔(42)之间的部分的内阻相等;所述第一金属层(20)的表面电阻率大于第二金属层(30)的表面电阻率;所述第一金属层(20)还包括分别与多条数据线(31)对应的多条第三扇出线(22);多条第三扇出线(22)均位于扇出区(102);对应同一数据线(31)的第二扇出线(21)及第三扇出线(22)相间隔;所述第一扇出线(32)的部分在竖直方向的投影与对应的数据线(31)所对应的第三扇出线(22)的部分重叠并经一对应的第三过孔(43)与该第三扇出线(22)电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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