[发明专利]一种氮化硅粉体的制备方法有效
| 申请号： | 201810391846.0 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108557780B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 任小平 | 申请（专利权）人： | 浙江东瓷新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C04B35/584 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 尉伟敏;何俊 |
| 地址： | 317300 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化硅制备领域，公开了一种氮化硅粉体的制备方法，包括：1）设备预热；2）物料加热：分别将硅粉和氨气的混合物、氮气通入微波等离子预热器的盘管内混合预热至700‑750℃，然后将物料通入悬浮反应器内腔的加热区内继续加热；同时向加热区通入向上的氮气旋涡气流带动物料旋转；3）反应：物料下落至反应区，同时向反应区通入向上的氮气旋涡气流带动物料旋转；物料边下落边反应生成氮化硅；4）保温冷却：氮化硅和未反应的氮气进入保温冷却器，先用水冷将物料降温，再用水冷和气冷降温，最后用水冷降温；5）气粉分离。本发明制得的氮化硅粉体纯度高、粒径细、ɑ相含量高、产量高、出产快。 | ||
| 搜索关键词： | 氮气 氮化硅粉体 氮化硅 制备 旋涡气流 反应区 预热 加热 氨气 微波等离子 悬浮反应器 保温冷却 物料加热 物料下落 混合物 加热区 冷却器 内混合 预热器 硅粉 冷和 粒径 内腔 盘管 气冷 保温 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅粉体的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）设备预热：将微波等离子预热器中的盘管和悬浮反应器的内腔用微波等离子火炬分别加热至800‑850℃和1350‑1400℃；2）物料加热：分别将硅粉和氨气的混合物、氮气通入微波等离子预热器的盘管内混合预热至700‑750℃，然后将物料以向上喷射形成倒圆锥形气雾的形式通入悬浮反应器内腔的加热区内继续加热；同时向加热区通入向上的氮气旋涡气流带动物料旋转；物料在加热区的停留时间为70‑90秒，物料下落至加热区底部时温度为1150‑1250℃；3）反应：物料下落至反应区，同时向反应区通入向上的氮气旋涡气流带动物料旋转；物料边下落边反应生成氮化硅，且在下落过程中逐步降温至950‑1000℃，物料在反应区的停留时间为120‑150秒；4）保温冷却：氮化硅和未反应的氮气进入保温冷却器，先用水冷将物料降温，再用水冷和气冷降温，最后用水冷降温；5）气粉分离：对物料进行气粉分离，将氮化硅粉进行包装，将氮气回收利用。
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