[发明专利]基板处理装置

摘要

本发明提供一种基板处理装置。用含卤气体对基板(G)的金属膜进行等离子体蚀刻的基板处理装置(1)具有设置在处理容器(2)内的呈环状的气流引导部件(40)，在其内周部分具有在基板载置台(3)的周缘的上方沿该基板载置台(3)的周向配置的用于将从喷淋头(10)导入的处理气体引导到外方的引导部(40‑1)，其外周部分安装在处理容器(2)的内壁。气流引导部件(40)具有在比基板载置台(3)靠外侧的部分沿其周向设置的缝隙(41)。由此，在对基板的金属膜进行等离子体蚀刻处理时，能够获得进一步的处理的面内均匀性，且能够抑制颗粒向被处理基板的附着。

主权项

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：用于收纳表面形成有金属膜的基板的处理容器；设置于所述处理容器内的用于载置基板的基板载置台；处理气体导入机构，其与所述基板载置台相对地设置在所述处理容器内的所述基板载置台的上方，在所述处理容器内向所述基板载置台导入包含有含卤气体的处理气体；从所述基板载置台的周围进行所述处理容器内的排气的排气机构；设置在所述处理容器内的呈环状的气流引导部件，其中，在所述气流引导部件的内周部分具有在所述基板载置台的周缘的上方沿着该基板载置台的周向配置的用于将从所述处理气体导入机构导入的处理气体引导到外方的引导部，所述气流引导部件的外周部分安装在所述处理容器的内壁；和等离子体生成机构，其生成用于在所述处理容器内对所述基板的所述金属膜进行等离子体蚀刻的处理气体的等离子体，所述气流引导部件具有缝隙，所述缝隙沿着所述基板载置台的周向设置在所述气流引导部件的比所述基板载置台靠外侧的部分。