[发明专利]像素界定结构及发光器件的制作方法有效
申请号: | 201810403536.6 | 申请日: | 2018-04-28 |
公开(公告)号: | CN110098220B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 刘新 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 曾银凤 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种像素界定结构及发光器件的制作方法,该制作方法,先在第一像素界定层上制作盲孔,然后制作第二像素界定层,使其覆盖第一像素界定层的上表面以及盲孔的孔壁和孔底,由于位于盲孔孔底的第二像素界定层在一个平面上,只需要将通过相同工艺一步除去盲孔下方的第二像素界定层及第一像素界定层,并且不影响像素电极和第一像素界定层的性能,便于制备高分辨率的像素限定层结构,同时降低了刻蚀工艺的难度,从而降低了刻蚀工艺的成本。 | ||
搜索关键词: | 像素 界定 结构 发光 器件 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素界定结构的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:采用亲液性材料在具有图案化的像素电极的基板上制作第一像素界定层;在所述第一像素界定层上对应所述像素电极的图案区域制作多个盲孔;采用疏液性材料在所述第一像素界定层上制作第二像素界定层,使所述第二像素界定层覆盖所述第一像素界定层的上表面以及所述盲孔的孔壁和孔底;去除所述盲孔下部的所述第二像素界定层及所述第一像素界定层,形成贯穿至所述像素电极的像素坑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东聚华印刷显示技术有限公司,未经广东聚华印刷显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810403536.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:像素结构及其制备方法
- 下一篇:像素结构及其制备方法、显示屏和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的