[发明专利]一种可分散的石墨烯插层化合物的制备方法有效
| 申请号： | 201810411857.0 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108516540B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 苗中正 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19;C01B32/194 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可分散的三层石墨烯插层化合物的制备方法。首先，将溴化碘与石墨混合加热制备三阶石墨插层化合物，经高温处理，插层剂溴化碘分解产生气体剥离石墨片层，得到三原子层高质量石墨烯材料；利用三氯化铁作为插层剂，运用熔融盐法进行插层，得到三层石墨烯插层化合物；采用氧化剂对三层石墨烯插层化合物的外侧与边缘进行氧化，得到可分散在常见溶剂中的三层石墨烯插层化合物。本发明方法中石墨烯外侧的含氧基团可进一步调节三层石墨烯插层化合物的电学、热学和磁学等性质，形成一类新的材料，并克服了石墨烯插层化合物在常见溶剂中不具备可溶性的缺点，可应用在新型微纳电子、超导体、透明电极、高频晶体管等器件的制造方面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分散 石墨 烯插层 化合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可分散的石墨烯插层化合物的制备方法，包括如下步骤：(1)将溴化碘与石墨混合加热制备三阶石墨插层化合物，三阶石墨插层化合物经高温处理，插层剂溴化碘分解产生气体剥离石墨片层得到三原子层高质量石墨烯材料，利用三氯化铁作为插层剂，运用熔融盐法对三层高质量石墨烯进行插层，得到三层石墨烯插层化合物；(2)采用氧化剂和浓酸对三层石墨烯插层化合物的外侧与边缘进行氧化，得到可分散在常见溶剂中的三层石墨烯插层化合物。
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