[发明专利]高压半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201810412970.0 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN110444582B | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 林志威;庄璧光 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;许曼 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压半导体装置及其形成方法。其中，高压半导体装置包含具有第一掺杂型态的基底。上述高压半导体装置亦包含位于基底内的第一井区及第二井区。第一井区与第二井区藉由第三井区隔开。第一井区与第二井区具有不同于第一掺杂型态的第二掺杂型态。第三井区具有第一掺杂型态。上述高压半导体装置更包含源极区及漏极区，分别位于第一井区及第二井区内。源极区及漏极区具有第二掺杂型态。此外，上述高压半导体装置包含位于基底上，且位于源极区及漏极区之间的栅极结构。上述高压半导体装置亦包含埋置于第三井区内的第一掺杂区。第一掺杂区具有第二掺杂型态。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括:一基底，具有一第一掺杂型态；一第一井区、一第二井区及一第三井区，设置于该基底内，且该第一井区与该第二井区藉由该第三井区隔开，其中该第一井区与该第二井区具有不同于该第一掺杂型态的一第二掺杂型态，且该第三井区具有该第一掺杂型态；一源极区及一漏极区，分别位于该第一井区及该第二井区内，其中该源极区及该漏极区具有该第二掺杂型态；一栅极结构，设置于该基底上，且位于该源极区及该漏极区之间；以及一第一掺杂区，埋置于该第三井区内，其中该第一掺杂区具有该第二掺杂型态。
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