[发明专利]一种制备致密AlQ3薄膜的方法在审

专利信息
申请号: 201810414354.9 申请日: 2018-05-03
公开(公告)号: CN108396289A 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 王志兵 申请(专利权)人: 河海大学
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/24
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 楼高潮
地址: 211100 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种制备致密AlQ3薄膜的方法。打开真空室,并在真空室内设置氮化硼坩埚,将粉末状蒸发材料AlQ3置于坩埚中。所述氮化硼坩埚分为盖子和腔体,盖子和腔体通过螺纹紧密连接,所述盖子上设有通孔,所述通孔正对真空室的上基板;对真空室抽真空至超高真空状态,并维持此超高真空状态20分钟,对真空室进行除气。对氮化硼坩埚加热至电流22‑25A,此时高温气态AlQ3材料通过通孔吸附到真空室的上基板上,蒸镀过程中电流源的电流稳定,整个过程基板的温度为室温。本发明制备的有机薄膜具有高聚集密度用此薄膜制备的器件发光产生的热量,在温度不断升高的过程中结晶不会发生改变,有利保持器件的发光性质。
搜索关键词: 真空室 氮化硼坩埚 盖子 通孔 制备 超高真空状态 致密 上基板 腔体 薄膜 真空室抽真空 薄膜制备 材料通过 电流稳定 发光性质 高温气态 过程基板 紧密连接 有机薄膜 蒸发材料 电流源 螺纹 除气 吸附 蒸镀 正对 坩埚 加热 发光 升高 室内
【主权项】:
1.一种制备致密AlQ3薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,搭建装置打开真空室,并在真空室内设置氮化硼坩埚,将粉末状蒸发材料AlQ3置于坩埚中,所述氮化硼坩埚分为盖子和腔体,所述盖子和腔体通过螺纹紧密连接,所述盖子上设有通孔,所述通孔正对真空室的上基板;步骤2,对真空室抽真空,直至气压为5×10‑5Pa的超高真空状态,并维持此超高真空状态20分钟,对真空室内壁和AlQ3样品进行除气,将氮化硼坩埚上的电阻丝接通电流源,对氮化硼坩埚加热,加热过程中电流增加至22‑25A,整个过程基板的温度为室温。
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