[发明专利]三维存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810415320.1 | 申请日： | 2018-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN108550574A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 夏季;吕震宇;夏志良;华文宇;戴晓望;刘念;张中;李艳妮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/11514 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及三维存储器件及其制造方法。公开了一种三维存储器件，其包括：衬底，具有衬底表面；存储阵列区域，形成在所述衬底上，由导体层和绝缘层交替堆叠形成的等级层堆栈构成；所述存储阵列区域包括核心区域以及分别位于所述核心区域两侧的第一台阶区域和第二台阶区域，所述核心区域用于形成存储单元；所述第一台阶区域和所述第二台阶区域具有阶梯状结构，且关于所述核心区域是非对称的。 | ||
| 搜索关键词： | 核心区域 台阶区域 三维存储器件 存储阵列区域 衬底 绝缘层 阶梯状结构 衬底表面 存储单元 交替堆叠 导体层 等级层 堆栈 制造 对称 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器件，其特征在于，包括：衬底，具有衬底表面；存储阵列区域，形成在所述衬底上，由导体层和绝缘层交替堆叠形成的等级层堆栈构成；所述存储阵列区域包括核心区域以及分别位于所述核心区域两侧的第一台阶区域和第二台阶区域，所述核心区域用于形成存储单元；所述第一台阶区域和所述第二台阶区域具有阶梯状结构，且关于所述核心区域是非对称的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
