[发明专利]存储器电路装置及存储器检测方法有效
申请号: | 201810416428.2 | 申请日: | 2018-05-03 |
公开(公告)号: | CN108447520B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00;G11C29/44 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人: | 屈小春;武晨燕 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种存储器电路装置及存储器检测方法。所述存储器电路装置包括:存储单元阵列,包括用于存储数据的存储线和备用存储线;备用解码器控制电路,用于接收检测装置发送的受损存储线地址,并根据所述受损存储线地址开启对应的备用存储线,以使所述备用存储线代替所述受损存储线存储数据;其中,所述受损存储线地址是由检测装置在检测所述存储单元阵列中存储线的工作状态时确定的。本发明实施例可以实现:通过备用解码器控制电路可以根据受损存储线地址开启对应的备用存储线,无需通过外部的控制器控制开启备用存储线,这样提高了存储器电路装置的修补效率。 | ||
搜索关键词: | 存储器 电路 装置 检测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种存储器电路装置,其特征在于,所述存储器电路装置包括:存储单元阵列,包括用于存储数据的存储线和备用存储线;备用解码器控制电路,用于接收检测装置发送的受损存储线地址,并根据所述受损存储线地址开启对应的备用存储线,以使所述备用存储线代替所述受损存储线存储数据;其中,所述受损存储线地址是由检测装置在检测所述存储单元阵列中存储线的工作状态时确定的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810416428.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体存储装置
- 下一篇:一种SRAM存储模块读操作时序偏移量测试方法