[发明专利]一种三维存储结构

摘要

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储结构，包括一衬底；衬底上形成阵列式的多个凹槽；每个凹槽中形成有一个存储单元结构：每个存储单元结构包括：环形且垂直的柱状沟道层，用于连接一源极和一漏极；上下相互间隔的多个控制栅极层，且每个控制栅极层均环绕柱状沟道层；环形且垂直的柱状隔离层，用于将柱状沟道层与每个控制栅极层隔离；其中，每个存储单元结构中形成有用于连接柱状沟道层的第一接触孔，以及用于分别连接每个控制栅极层的每个第二接触孔；能够避免在形成存储结构的晶圆内形成应力集中的情况，有利于保证晶圆产品的良率。

主权项

1.一种三维存储结构，其特征在于，包括一衬底；所述衬底上形成阵列式的多个凹槽；每个所述凹槽中形成有一个存储单元结构：每个所述存储单元结构包括：环形且垂直的柱状沟道层，用于连接一源极和一漏极；上下相互间隔的多个控制栅极层，且每个所述控制栅极层均环绕所述柱状沟道层；环形且垂直的柱状隔离层，用于将所述柱状沟道层与每个所述控制栅极层隔离；其中，每个所述存储单元结构中形成有用于连接所述柱状沟道层的第一接触孔，以及用于分别连接每个所述控制栅极层的每个第二接触孔。