[发明专利]用于焊盘开口和沟槽的钝化结构有效
| 申请号： | 201810419528.0 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN109256375B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张铭宏;杨钧沂;黄坤铭;褚伯韬;王升平;郭建利 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了包括用于焊盘开口和沟槽的增强的钝化结构的集成电路(IC)。在一些实施例中，层间介电(ILD)层覆盖衬底并且至少部分地限定沟槽。该沟槽从ILD层的顶部延伸穿过ILD层至衬底。导电焊盘位于ILD层上面。第一钝化层位于ILD层和导电焊盘上面，并且进一步限定导电焊盘上面的焊盘开口。第二钝化层位于ILD层、导电焊盘和第一钝化层上面，并且进一步内衬焊盘开口中的第一钝化层的侧壁和沟槽中的ILD层的侧壁。此外，第二钝化层相对于ILD层具有低湿气或蒸汽渗透率。本发明的实施例还涉及用于焊盘开口和沟槽的钝化结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 开口 沟槽 钝化 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：衬底；层间介电(ILD)层，覆盖所述衬底，其中，所述层间介电层至少部分地限定沟槽，并且其中，所述沟槽从所述层间介电层的顶部延伸穿过所述层间介电层至所述衬底；导电焊盘，位于所述层间介电层上面；第一钝化层，位于所述层间介电层和所述导电焊盘上面，其中，所述第一钝化层限定所述导电焊盘上面的焊盘开口；以及第二钝化层，位于所述层间介电层、所述导电焊盘和所述第一钝化层上面并且进一步内衬所述焊盘开口中的所述第一钝化层的侧壁和所述沟槽中的所述层间介电层的侧壁。
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