[发明专利]半导体器件的对准方法有效
| 申请号： | 201810419537.X | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108615719B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 颜柏寒;冯耀斌;张鹏真;江奇辉;朱欢;万浩 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的对准方法，包括：提供衬底，所述衬底的表面形成有第一对准标记；在所述衬底上形成膜层，所述膜层的表面与衬底的表面共形，使得所述膜层的表面在对应所述第一对准标记的位置形成第二对准标记。本发明提供的半导体器件的对准方法通过在第一对准标记上形成膜层的方法，利用共形形成的第二对准标记进行对准。相对于传统的设置辅助对准层的对准方法，具有对准精度高、工艺流程较少的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 对准 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的对准方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的表面形成有第一对准标记；在所述衬底上形成膜层，所述膜层的表面与衬底的表面共形，使所述膜层的表面在对应所述第一对准标记的位置形成第二对准标记。
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