[发明专利]驱动背板及其制造方法有效
申请号: | 201810421224.8 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN110444546B | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 储培鸣 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 臧云霄;钟宗 |
地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了驱动背板及其制造方法,其中,驱动背板包括:一基板,一缓冲层,形成于基板上;一多晶硅层,形成于缓冲层上;若干绝缘层,形成于多晶硅层上,绝缘层具有若干同心的接触孔,接触孔露出多晶硅层;一第一金属层,形成于绝缘层上,第一金属层通过接触孔电连接多晶硅层;一接触孔层,形成于第一金属层上;以及一第二金属层,形成于接触孔层上,第二金属层的走线具有至少一非直线型的绕开部,绕开部自接触孔的一侧绕过接触孔,绕开部与接触孔的间距至少大于1um。本发明能够防止当接触孔位置的接触孔层有开裂而导致分别位于接触孔层上下的第一信号线与第二信号线直接短路的现象的发生,提高器件的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 驱动 背板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种驱动背板,其特征在于,包括:一基板,一缓冲层,形成于所述基板上;一多晶硅层,形成于所述缓冲层上;若干绝缘层,形成于所述多晶硅层上,所述绝缘层具有若干同心的接触孔,所述接触孔露出所述多晶硅层;一第一金属层,形成于所述绝缘层上,所述第一金属层通过所述接触孔电连接所述多晶硅层;一接触孔层,形成于所述第一金属层上;以及一第二金属层,形成于所述接触孔层上,所述第二金属层的走线具有至少一非直线型的绕开部,所述绕开部自所述接触孔的一侧绕过所述接触孔,所述绕开部与所述接触孔的间距至少大于1um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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