[发明专利]一种湿刻蚀装置有效
申请号: | 201810423918.5 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN108565232B | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 周斌;王东方;赵策;成军;闫梁臣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种湿刻蚀装置,涉及湿刻蚀技术领域,能够解决由于待刻蚀件在刻蚀槽中传送时间较长,无法实现较薄膜层的精细刻蚀问题。所述湿刻蚀装置包括:传送单元,用于在其正向运转时传送待刻蚀件依次经过缓冲单元、刻蚀单元和冲洗单元;搬运单元,用于将位于刻蚀单元的入口侧的待刻蚀件沿刻蚀单元的外侧搬运至冲洗单元处;控制单元,用于在待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时,控制搬运单元启动,以使搬运单元将待刻蚀件搬运至冲洗单元处的传送单元上;并控制传送单元反向运转后再正向运转,以使待刻蚀件从刻蚀单元的出口进入刻蚀单元的刻蚀槽中进行刻蚀,再从刻蚀单元的出口返回到冲洗单元内进行冲洗。本发明用于湿法刻蚀。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 装置 | ||
【主权项】:
1.一种湿刻蚀装置,包括依次设置的缓冲单元、刻蚀单元和冲洗单元,所述刻蚀单元包括多个刻蚀槽;其特征在于,还包括:传送单元,用于在其正向运转时传送待刻蚀件依次经过所述缓冲单元、所述刻蚀单元和所述冲洗单元;搬运单元,所述搬运单元设置在所述刻蚀单元的外侧,所述搬运单元用于将位于所述刻蚀单元的入口侧的所述待刻蚀件沿所述刻蚀单元的外侧搬运至所述冲洗单元处;控制单元,所述控制单元用于在所述待刻蚀件的待刻蚀膜层厚度小于或等于预设阈值时,控制所述搬运单元启动,以使所述搬运单元将所述待刻蚀件搬运至所述冲洗单元处的所述传送单元上;并控制所述传送单元反向运转后再正向运转,以使所述待刻蚀件从所述刻蚀单元的出口进入所述刻蚀单元的刻蚀槽中进行刻蚀,再从所述刻蚀单元的出口返回到所述冲洗单元内进行冲洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造