[发明专利]导电结构的加工方法在审
| 申请号： | 201810427943.0 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN108793064A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吕丽英;王绍全;钟晓辉;黎家健;吴健兴 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（新加坡）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 陈巍巍 |
| 地址： | 新加坡卡文迪*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明提供了一种导电结构的加工方法，包括如下步骤：从所述第一表面通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；从所述第二表面对所述凹槽进行延伸直到形成贯穿所述硅基底的通孔；在所述通孔内加工导电结构。其可以应用在厚度大于300μm的硅基底上，突破了现有技术在可加工厚度上的限制，而且可以在硅基底的两侧均实现电性连接，方法简单，可靠性高，且加工效率高，便于机械化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 导电结构 硅基 第二表面 第一表面 加工 通孔 机械化生产 电性连接 干法蚀刻 加工效率 凹陷 贯穿 延伸 应用 | ||
【主权项】：
1.一种导电结构的加工方法，其特征在于，所述硅基底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间的厚度大于300μm，所述导电结构的加工方法包括如下步骤：步骤S1：从所述第一表面通过干法蚀刻形成自第一表面向第二表面方向凹陷的凹槽；步骤S2：从所述第二表面对所述凹槽进行延伸直到形成贯穿所述硅基底的通孔；步骤S4：在所述通孔内加工导电结构。
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