[发明专利]一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台

摘要

本发明具体涉及一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台，其主要部件包括：蚀刻腔体，射频发生装置，电极与高压单元，氦气冷却系统，温度控制系统，磁场控制系统，气体装置，真空系统，传送系统，以及电源和控制柜；所述的蚀刻腔体包括上、下腔体，石英环、硅环组成；一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台使用方便、操作简单、蚀刻的器件具有很好的均匀性；使用一种耐高温密封新材料，能有适应抗离子体的产生的高温，保持持久，高质量的真空环境。

主权项

1.一种使用耐高温密封新材料的逻辑器件侧墙蚀刻机台，其主要部件包括：蚀刻腔体，射频发生装置，电极与高压单元，氦气冷却系统，温度控制系统，磁场控制系统，气体装置，真空系统，传送系统，以及电源和控制柜；所述的蚀刻腔体包括上、下腔体，石英环、硅环组成，所述的上下反应腔体位于反应腔四周围，用来保护蚀刻侧壁；所述的电极为单电极系统，为金属材质制成；所述的金属材质的电极表面镀有一层氮化铝半导体材料；所述的磁场控制系统能够产生旋转变化的电场；所述的真空装置由两级真空系统组成；其特征在于所述的蚀刻腔体采用一种耐高温密封新材料;所述一种耐高温密封新材料按照如下方法进行制备：按照质量份数，40‑60份的丁腈橡胶、35‑65份的氟化磷腈橡胶、0.1‑0.6份的三氟丙基聚二甲基硅氧烷/PEG‑10 交联聚合物、0.1‑0.6份的二[二(三甲基甲硅烷基)氨基]锡、0.01‑0.08份的大豆油基乙基吗啉氮鎓乙基硫酸盐、5‑10份的活性剂氧化镁和20‑30份的白炭黑投入密炼机中，控制温度为110‑130℃，进行混炼4‑10min，接着升温至135‑155℃，加入8‑16份的三缩水甘油基三聚异氰酸酯、1‑5份的硬脂酸亚锡、1.0‑2.5份的2‑硫醇基苯骈咪唑、3‑8份阻燃剂四氯邻苯二甲酸酐、0.3‑0.9份的聚氨丙基双胍硬脂酸盐 ，混炼3‑8min，得到混合胶体；然后将混合胶体、75‑85份的增强剂、0.5‑1.5份的三乙撑四胺、1.6‑3.5份的硫磺和0.5‑1.0份的过氧化苯甲酰在双辊开炼机上混炼20‑30min，混炼均匀后送入双螺杆挤出进行挤出造粒，然后在压力为4.0‑6.0MPa，140‑170℃下进行硫化5‑10min即可得到一种耐高温密封新材料。