[发明专利]一种低损耗非晶、纳米晶磁片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810433591.X | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108666115A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 顾正青;韩朝庆;计建荣 | 申请（专利权）人： | 苏州世诺新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/36 | 分类号： | H01F27/36;H01F41/02;H01F38/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗非晶、纳米晶磁片及其制备方法，在频率为100KHz时，其磁导率实部大于1000，磁导率虚部小于200，主要工艺步骤包含脆化、贴合、碎化、钝化、烘干和模切。本发明的优点是利用钝化工艺，可以在非晶、纳米晶碎片的表面生成高电阻率层，避免碎片之间互相接触，大大降低磁片的涡流损耗，提高无线充电的效率和安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米晶 磁片 非晶 低损耗 制备 磁导率实部 磁导率虚部 高电阻率层 钝化工艺 工艺步骤 涡流损耗 无线充电 烘干 脆化 钝化 模切 碎化 贴合 | ||
【主权项】：
1.一种低损耗非晶、纳米晶磁片，其特征在于：在频率为 100KHz时，其磁导率实部大于1000，磁导率虚部小于200。
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