[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法在审
| 申请号： | 201810434472.6 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108649044A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 黄增智;龙海凤;李天慧;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种图像传感器，包括钉扎光电二极管，所述钉扎光电二极管包括形成在第二导电类型的半导体材料层中的第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域的接触表面为凹凸不平的表面。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能提高钉扎光电二极管的电荷容量。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 钉扎光电二极管 导电类型 第二区域 第一区域 半导体材料层 第一导电类型 凹凸不平 电荷容量 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括钉扎光电二极管，所述钉扎光电二极管包括形成在第二导电类型的半导体材料层中的第一导电类型的第一区域和第二导电类型的第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域的接触表面为凹凸不平的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
