[发明专利]制造晶圆级封装的MEMS组件的方法和MEMS组件有效
| 申请号： | 201810437158.3 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108862185B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | M·施泰尔特;C·盖斯勒;K·措加尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张鹏 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的第一主表面区域上具有带有凹槽的布线层堆叠，其中在半导体衬底的第一主表面区域处，MEMS器件裸露地布置在布线层堆叠的凹槽中，并且其中在布线层堆叠的金属化区域处布置有突出的过孔元件；将在中间阶段中固化的b阶材料层施加到在布线层堆叠上，从而使在布线层堆叠中的凹槽被由b阶材料层覆盖，并且还使该垂直突出的过孔元件被加入到b阶材料层中；固化b阶材料层，以获得经固化的b阶材料层；使经固化的b阶材料层薄化，以裸露过孔元件的端表面区域；并且将RDL结构(RDL＝再分布层)施加到经薄化和固化的b阶材料层上，以便经由过孔元件获得布线层堆叠与RDL结构之间的电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 晶圆级 封装 mems 组件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造方法(100；100A；100B)，具有以下步骤：提供(110)半导体衬底(300)，所述半导体衬底在所述半导体衬底(300)的第一主表面区域(300‑1)上具有布线层堆叠(304)，所述布线层堆叠具有凹槽(302)，其中在所述半导体衬底(300)的所述第一主表面区域(300‑1)处，MEMS器件(306)裸露地布置在所述布线层堆叠(304)的所述凹槽(302)中，并且其中在所述布线层堆叠(304)的金属化区域(308)处布置有突出的过孔元件(310)，将在中间阶段中固化的b阶材料层(312)施加(130)到所述布线层堆叠(304)上，从而使在所述布线层堆叠(304)中的所述凹槽(302)被所述b阶材料层(312)覆盖，并且还使垂直突出的所述过孔元件(310)加入到所述b阶材料层(312)中，固化(150)所述b阶材料层(312)，以获得经固化的b阶材料层(312)，使经固化的所述b阶材料层(312)薄化(170)，以裸露所述过孔元件(310)的端表面区域(310‑1)，并且将RDL结构(RDL＝再分布层)施加(190)到经薄化和固化的所述b阶材料层(312)上，以便经由所述过孔元件(310)获得在所述布线层堆叠(304)与所述RDL结构(314)之间的电连接。
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