[发明专利]集成电路封装件及其形成方法在审
申请号: | 201810438653.6 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN109817595A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 余振华;郭宏瑞;何明哲;李宗徽 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/522;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种集成电路封装件及其形成方法。一种方法包括在载体上方形成第一再分布层,第一再分布层包括接触焊盘和接合焊盘。在接触焊盘上方形成导电柱。使用焊料接头将集成电路管芯的背面附接至接合焊盘。沿着导电柱的侧壁和集成电路管芯的侧壁形成密封剂,集成电路管芯的正面与密封剂的最顶面和导电柱的最顶面大致齐平。在集成电路管芯的正面、密封剂的最顶面和导电柱的最顶面上方形成第二再分布层。 | ||
搜索关键词: | 集成电路管芯 导电柱 再分布层 密封剂 顶面 集成电路封装件 接触焊盘 接合焊盘 侧壁 焊料 附接 齐平 背面 | ||
【主权项】:
1.一种形成半导体结构的方法,包括:在载体上方形成第一再分布层,所述第一再分布层包括接触焊盘和接合焊盘;在所述接触焊盘上方形成导电柱;使用焊料接头将集成电路管芯的背面附接至所述接合焊盘;沿着所述导电柱的侧壁和所述集成电路管芯的侧壁形成密封剂,所述集成电路管芯的正面与所述密封剂的最顶面和所述导电柱的最顶面齐平;以及在所述集成电路管芯的正面、所述密封剂的最顶面和所述导电柱的最顶面上方形成第二再分布层。
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