[发明专利]阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201810439842.5 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108761937A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 席运泽 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中华 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板包括：基板、设于所述基板上的第一金属层、覆盖所述第一金属层及基板的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的第二金属层、覆盖所述第一绝缘层及第二金属层的钝化层以及设于所述钝化层上的像素电极；所述第一金属层包括第一电极板，所述第二金属层包括与所述第一电极板相对设置的第二电极板以及与所述第二电极板电性连接的阵列基板公共电极线，所述像素电极的一部分位于所述第二电极板的上方，所述像素电极通过贯穿所述钝化层和第一绝缘层的第一过孔与所述第一电极板电性连接，通过所述第一电极板、第二电极板及像素电极共同组成一夹层电容，能够减小相同大小的存储电容的面积，提升开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 电极板 绝缘层 像素电极 阵列基板 第二金属层 第一金属层 钝化层 基板 电极板电 公共电极线 存储电容 夹层电容 相对设置 开口率 减小 覆盖 制作 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板(10)、设于所述基板(10)上的第一金属层(20)、覆盖所述第一金属层(20)及基板(10)的第一绝缘层(30)、设于所述第一绝缘层(30)上的第二金属层(40)、覆盖所述第一绝缘层(30)及第二金属层(40)的钝化层(50)以及设于所述钝化层(50)上的像素电极(60)；所述第一金属层(20)包括第一电极板(21)，所述第二金属层(40)包括与所述第一电极板(21)相对设置的第二电极板(41)以及与所述第二电极板(41)电性连接的阵列基板公共电极线(42)，所述像素电极(60)的一部分位于所述第二电极板(41)的上方，所述像素电极(60)通过贯穿所述钝化层(50)和第一绝缘层(30)的第一过孔(61)与所述第一电极板(21)电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810439842.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
