[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 201810440111.2 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN108630607B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 新保宏幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社索思未来 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/84;H01L23/528;H01L27/02;H01L27/088;H01L27/118;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路装置。标准单元(1)具有沿第一方向延伸的鳍片(11)。由沿垂直于第一方向的第二方向延伸且被设置在鳍片(11)上的栅极布线(12)、以及鳍片(11)构成有源晶体管(N1)。由鳍片(11)和与栅极布线(12)并列设置的虚拟栅极布线(14)构成虚拟晶体管(D1)，所述虚拟晶体管(D1)与有源晶体管(N1)共用源极的节点和漏极的节点中的一节点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，其特征在于：所述半导体集成电路装置包括在第一导电型区域中具有沿第一方向延伸的第一鳍片以及第二鳍片的标准单元，所述标准单元包括：有源晶体管，其由所述第一鳍片以及所述第二鳍片和栅极布线构成，所述栅极布线沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸且被设置在所述第一鳍片以及所述第二鳍片上；以及虚拟晶体管，其由所述第一鳍片以及所述第二鳍片和虚拟栅极布线构成，所述虚拟栅极布线与所述栅极布线并列地设置在所述第一鳍片以及所述第二鳍片上，所述虚拟晶体管与所述有源晶体管共用源极和漏极这两节点中的一节点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
