[发明专利]电子器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810442143.6 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN109509834B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 金孝俊;金治皓;曺祥薰;黄应林 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法中，该方法包括：形成层叠结构，层叠结构中的每个层叠结构包括可变电阻图案；在层叠结构上形成覆盖层，覆盖层包括杂质；在层叠结构之间形成间隙填充层；以及通过用紫外光照射覆盖层和间隙填充层来去除覆盖层中的杂质并且使间隙填充层致密化。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造包括半导体存储器的电子器件的方法，所述方法包括：形成层叠结构，所述层叠结构中的每个层叠结构包括可变电阻图案；在层叠结构上形成覆盖层，所述覆盖层包括杂质；在层叠结构之间形成间隙填充层；以及通过用紫外光照射覆盖层和间隙填充层来去除覆盖层中的杂质并且使间隙填充层致密化。
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