[发明专利]倒装芯片型发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201810450650.4 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN108649047A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李剡劤;尹馀镇;金在权;李小拉;梁明学 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/40;H01L33/62;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种倒装芯片型发光二极管芯片。该倒装芯片型发光二极管芯片包括：基底；发光二极管部件，置于所述基底上；反射电极，置于所述发光二极管部件上；下绝缘层，覆盖所述反射电极和所述发光二极管部件，并且具有暴露所述发光二极管部件上的所述反射电极的第一开口；电流扩散层，置于下绝缘层上以通过所述下绝缘层与所述反射电极绝缘，并且具有第二开口，其中，所述电流扩散层的所述第二开口具有比所述下绝缘层的所述第一开口的面积大的面积；以及上绝缘层，形成在所述电流扩散层上，并且具有通过其注入电流的多个开口。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管部件 反射电极 下绝缘层 开口 发光二极管芯片 倒装芯片型 电流扩散层 基底 上绝缘层 注入电流 绝缘 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种倒装芯片型发光二极管芯片，包括：基底；发光二极管部件，置于所述基底上；反射电极，置于所述发光二极管部件上；下绝缘层，覆盖所述反射电极和所述发光二极管部件，并且具有暴露所述发光二极管部件上的所述反射电极的第一开口；电流扩散层，置于下绝缘层上以通过所述下绝缘层与所述反射电极绝缘，并且具有第二开口，其中，所述电流扩散层的所述第二开口具有比所述下绝缘层的所述第一开口的面积大的面积；以及上绝缘层，形成在所述电流扩散层上，并且具有通过其注入电流的多个开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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