[发明专利]一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器

摘要

本发明公开一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，针对传统的活塞式磁流变阻尼器将移动的磁感线圈变成了在满足活塞行程的条件下的固定阀式结构，使得磁场利用率大大提高，同时对于线圈的散热以及对磁流变液的性质的影响、磁流变阻尼器的维修等问题得到了解决，也具有在空间范围允许的条件下极大地增大线圈的匝数来增大阻尼力的特点，增大了阻尼力的动态范围。当通电出现故障时，由于蜿蜒的回路也可产生一定大小的阻尼力，具有了一定的失效安全性。

主权项

1.一种双筒壁的高磁场利用率磁流变阻尼器，其特征在于，包括：上盖(3)、下盖(21)、内筒(6)、外筒(7)、活塞(8)、第一不导磁组件(10)、第二不导磁组件(23)、第一筒壁磁环(11)、第二筒壁磁环(13)、第三筒壁磁环(15)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁不导磁段(14)、不导磁杆(24)、第一导磁组件(25)、第二导磁组件(26)、第三导磁组件(27)、第四导磁组件(28)和第五导磁组件(29)、线圈(30)、导磁套筒(31)和导磁环(32)；/n外筒同心且间隔设置于内筒外周；外筒和内筒安装于下盖和上盖之间；/n内筒中安装有活塞；活塞与内筒之间通过密封圈进行密封；/n第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)间隔固定在内筒(6)中；/n不导磁杆(24)固定于第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)之间；第一导磁组件(25)、第二导磁组件(26)、第三导磁组件(27)、第四导磁组件(28)和第五导磁组件(29)间隔设置；第一导磁组件(25)、第三导磁组件(27)、第五导磁组件(29)中心固定在不导磁杆(24)上；/n内筒(6)和外筒(7)相应位置均设有环形断口；每个环形断口均通过依次连接的第一筒壁磁环(11)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁磁环(13)、第二筒壁不导磁段(14)和第三筒壁磁环(15)连接；/n第二导磁组件(26)和第四导磁组件(28)的外圈与对应的内筒的第一筒壁不导磁段(12)、内筒的第二筒壁不导磁段(14)的内壁固定连接；/n四个导磁环(32)与外筒上第一筒壁磁环(11)、第二筒壁磁环(13)、第三筒壁磁环(15)固定连接；两个导磁环(32)与外筒的第二筒壁磁环(13)固定连接；两个导磁环(32)与对应的一个导磁套筒(31)通过螺纹连接；两个导磁环(32)与对应的导磁套筒(31)围成的空间中安装一个线圈(30)；/n第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)中间均设有若干不导磁组件通流孔(17)；/n内筒(6)的上部靠近上盖(3)处设有径向的上腔通流孔(5)；第一导磁组件(25)与第二不导磁组件(23)之间的内筒(6)处设有下腔通流孔(16)；上腔的磁流变液能够通过上腔通流孔(5)、内筒(6)与外筒(7)之间的间隙、下腔通流孔(16)、第一不导磁组件(10)和第二不导磁组件(23)中间的不导磁组件通流孔(17)形成了磁流变液的流动回路；/n第一导磁组件(25)、第二导磁组件(26)、第三导磁组件(27)、第四导磁组件(28)和第五导磁组件(29)之间间隔设置，在第一导磁组件(25)与内筒第三筒壁导磁环(15)之间、第一导磁组件(25)与第二导磁组件(26)之间、第二导磁组件(26)的内圈与不导磁杆(24)之间、第二导磁组件(26)与第三导磁组件(27)之间、第三导磁组件(27)与内筒第二筒壁导磁环(13)之间、第三导磁组件(27)与第四导磁组件(28)之间、第四导磁组件(28)的内圈与不导磁杆(24)之间、第四导磁组件(28)与第五导磁组件(29)之间、第五导磁组件(29)与内筒第一筒壁导磁环(11)之间形成连通的蜿蜒磁流变液通道间隙；/n内筒(6)和内筒对应的第一筒壁磁环(11)、第一筒壁不导磁段(12)、第二筒壁磁环(13)、第二筒壁不导磁段(14)和第三筒壁磁环(15)相互通过螺纹连接并通过密封圈密封；/n第一筒壁磁环、第二筒壁磁环、第三筒壁磁环都是高导磁性材料，第一筒壁不导磁段、第二筒壁不导磁段为不导磁材料或者导磁率很低的不锈钢材料。/n