[发明专利]一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置在审
申请号: | 201810458045.1 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN108389818A | 公开(公告)日: | 2018-08-10 |
发明(设计)人: | 简健哲;黄荣龙 | 申请(专利权)人: | 安徽宏实自动化装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230001 安徽省合肥市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置,包括化学槽箱体,化学槽箱体为矩形槽腔体,箱体内腔上部设有固定安装的喷淋管,喷淋管底部设有均匀直线分布的喷嘴,箱体内腔底部设有滚动辊,滚动辊水平且与喷淋管空间上垂直,滚动辊上放置基板,所述喷淋管的下方,基板的上方设有网板,网板上设有均匀分布的贯通网槽,滚动辊的两侧端部设有齿轮传动轴,网板底部与齿轮传动轴联动。网板上有排列均匀的网槽,喷淋管上喷嘴喷出的药液经网槽均匀蚀刻基板上的产品,通过改变实际制程过程中网板的网槽大小和排列情况,实现化学槽箱体内流场更稳定均匀,在制程进行时,网板与滚动辊的齿轮传动轴联动发生小幅度的摆动,进一步确保流场的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 网板 滚动辊 喷淋管 网槽 齿轮传动轴 化学槽 蚀刻 均匀化装置 设备动态 湿式制程 箱体内腔 基板 联动 制程 矩形槽腔 两侧端部 蚀刻基板 直线分布 喷嘴 均匀性 内流场 上喷嘴 小幅度 摆动 流场 喷出 垂直 贯通 | ||
【主权项】:
1.一种湿式制程设备动态蚀刻药液均匀化装置,包括化学槽箱体(1),化学槽箱体(1)为矩形槽腔体,箱体(1)内腔上部设有固定安装的喷淋管(2),喷淋管(2)底部设有均匀直线分布的喷嘴(3),箱体(1)内腔底部设有滚动辊(4),滚动辊(4)水平且与喷淋管(2)空间上垂直,滚动辊(4)上放置基板(5),其特征是,所述喷淋管(2)的下方,基板(5)的上方设有网板(6),网板(6)上设有均匀分布的贯通网槽(7),滚动辊(4)的两侧端部设有齿轮传动轴(8),网板(6)底部与齿轮传动轴(8)联动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造