[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，对晶片的背面侧进行磨削时能够充分抑制正面侧所存在的凹凸的影响，磨削后的处理也简单。该晶片的加工方法包含：环状槽形成步骤，对在正面具有器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域的晶片的正面侧沿着外周剩余区域的内周形成深度超过晶片的完工厚度的环状的槽；保护膜紧贴步骤，利用保护膜对器件区域和槽进行覆盖，使保护膜效仿凹凸而紧贴在正面侧；带保护部件的晶片形成步骤，利用由硬化型液态树脂构成的保护部件对保护膜和露出的外周剩余区域进行包覆，形成带保护部件的晶片；磨削步骤，在对保护部件侧进行了保持的状态下，对晶片的背面进行磨削而使晶片变薄至完工厚度；和剥离步骤，将保护部件和保护膜从器件区域剥离。

主权项

1.一种晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：环状槽形成步骤，对在正面上具有器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的该正面侧沿着该外周剩余区域的内周形成深度超过该晶片的完工厚度的环状的槽，其中，在所述器件区域中形成有具有凹凸的器件；保护膜紧贴步骤，利用保护膜对该晶片的该器件区域和该槽进行覆盖，使该保护膜效仿该凹凸而紧贴在该正面侧；带保护部件的晶片形成步骤，利用保护部件对该保护膜和露出的该外周剩余区域进行包覆，形成由该保护部件对该晶片的该正面侧进行覆盖的带保护部件的晶片，其中，该保护部件由通过外部刺激而硬化的硬化型液态树脂构成；磨削步骤，在利用卡盘工作台的保持面对该带保护部件的晶片的该保护部件侧进行了保持的状态下，对该晶片的背面进行磨削而使该晶片变薄至该完工厚度，并且使该槽在该背面侧露出，从而将由该保护部件覆盖的状态的该晶片分离成环状部和圆形部，该环状部包含该外周剩余区域，该圆形部包含该器件区域；以及剥离步骤，将该保护部件和该保护膜从该圆形部的该器件区域剥离而与该环状部一起去除。