[发明专利]半导体器件及其控制方法在审
| 申请号： | 201810475203.4 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108932161A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 植木浩;肥田英司 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F9/48 | 分类号： | G06F9/48 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明的目的是提供能够在保持高中断响应性能的同时抑制电路规模增加的半导体器件及其控制方法。根据实施例，一种半导体器件包括：闪存存储器，其中存储N个中断子例程程序；中断控制电路，其检测中断的发生；计数器，其基于中断控制电路的检测结果来确定N个中断因素的相应发生概率；中断缓冲存储器，其中存储与N个中断因素中的被确定为发生概率高的前M个中断因素对应的M(M | ||
| 搜索关键词： | 中断 子例程 半导体器件 中断控制电路 缓冲存储器 发生概率 存储 计数器 读取 闪存存储器 检测结果 抑制电路 中断响应 检测 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：闪存存储器，其中存储至少N(N是等于或大于2的整数)个中断子例程程序；中断控制电路，检测发生了N个中断因素中的一个中断因素的中断；确定电路，基于所述中断控制电路的检测结果来确定所述N个中断因素中的每个中断因素的发生概率；中断缓冲存储器，其中存储M(M
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