[发明专利]包括离子注入遮挡结构的晶圆支撑组件及半导体处理设备在审
| 申请号： | 201810479744.4 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN109390198A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 宋炫彻;金泰坤;崔庆寅;崔善洪;崔韩梅;韩尚勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶圆支撑组件和半导体处理设备。该晶圆支撑组件可以包括晶圆卡盘，所述晶圆卡盘包括第一表面和第二表面，其中，所述第一表面可以具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对。边缘遮挡结构可以覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，其中，所述边缘遮挡结构可以具有遮挡主体，其具有面向所述中央区域的具有倾斜侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 中央区域 第一表面 边缘区域 遮挡结构 支撑组件 半导体处理设备 第二表面 晶圆卡盘 承托 离子 倾斜侧表面 种晶 遮挡 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆支撑组件，包括：晶圆卡盘，其包括第一表面和第二表面，所述第一表面具有中央区域和边缘区域，所述中央区域被构造为在离子注入晶圆期间承托所述晶圆，所述边缘区域围绕所述中央区域并在所述晶圆被承托在所述中央区域中时超过所述晶圆的边缘，并且所述第二表面与所述第一表面相对；以及边缘遮挡结构，其覆盖所述第一表面的所述边缘区域的至少一部分，所述边缘遮挡结构具有遮挡主体，所述遮挡主体具有面向所述中央区域的倾斜侧表面。
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