[发明专利]一种功率半导体模块功率端子有效

专利信息
申请号: 201810482718.7 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN108418063B 公开(公告)日: 2023-10-17
发明(设计)人: 安冰翀 申请(专利权)人: 臻驱科技(上海)有限公司
主分类号: H01R25/16 分类号: H01R25/16;H01R25/00
代理公司: 上海雍灏知识产权代理事务所(普通合伙) 31368 代理人: 沈汶波
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种功率半导体模块功率端子。本发明的功率半导体模块功率端子,包括第一功率端子和第二功率端子,第一功率端子包括依次连接的第一接触部分、第一中间部分和第一引脚,第二功率端子包括依次连接的第二接触部分、第二中间部分和第二引脚;其中,第一接触部分设有第一延伸结构,第一延伸结构朝向第二接触部分设置,第二接触部分设有第二延伸结构,第二延伸结构朝向第一接触部分设置,第一延伸结构与第二延伸结构的部分或全部交叠设置。本发明的功率半导体模块功率端子,能够增加第一功率端子和第二功率端子的叠层区域面积,进一步减小功率半导体模块的杂散电感,以提高功率半导体模块的效率和运行可靠性。
搜索关键词: 一种 功率 半导体 模块 端子
【主权项】:
1.一种功率半导体模块功率端子,其特征在于,包括第一功率端子和第二功率端子,所述第一功率端子包括依次连接的第一接触部分、第一中间部分和第一引脚,所述第二功率端子包括依次连接的第二接触部分、第二中间部分和第二引脚;所述第一接触部分与所述第二接触部分平行设置于两个相互平行的平面内,所述第一中间部分与所述第二中间部分分别平行设置于两个相互平行的平面内,所述第一引脚与所述第二引脚平行设置于同一平面内;所述第一中间部分与所述第二中间部分的部分或全部交叠设置;其中,所述第一接触部分设有第一延伸结构,所述第一延伸结构朝向所述第二接触部分设置,所述第二接触部分设有第二延伸结构,所述第二延伸结构朝向所述第一接触部分设置,所述第一延伸结构与所述第二延伸结构的部分或全部交叠设置。
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