[发明专利]LDMOS静电保护器件有效
| 申请号： | 201810482780.6 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108766964B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈卓俊;曾云;彭伟;金湘亮;张云;吴志强 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS静电保护器件，包括衬底，衬底上设有深N阱，深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区，第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区和第二P+注入区；第二N+注入区和第二P+注入区互相连接；第一P+注入区、第一N+注入区连接阴极；第三P+注入区、第四N+注入区连接阳极，第三P+注入区、深N阱、第一P阱构成第一PNP型晶体管；深N阱、第一P阱、第一N+注入区构成第一NPN型晶体管；第二N+注入区、第一P阱、第一N+注入区构成第二NPN型晶体管。本发明能够在不牺牲SCR结构较强泄放电流能力的同时提高维持电压，避免LDMOS器件发生闩锁，维持鲁棒性。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 静电 保护 器件 | ||
【主权项】：
1.一种LDMOS静电保护器件，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有深N阱，所述深N阱内从左到右依次设有第一P阱、第三N+注入区、第三P+注入区和第四N+注入区，所述第一P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第二N+注入区和第二P+注入区；所述第二N+注入区和所述第二P+注入区互相连接；所述第一P+注入区、所述第一N+注入区连接阴极；所述第三P+注入区、所述第四N+注入区连接阳极，所述第三P+注入区、所述深N阱、所述第一P阱构成第一PNP型晶体管；所述深N阱、所述第一P阱、所述第一N+注入区构成第一NPN型晶体管；所述第二N+注入区、所述第一P阱、所述第一N+注入区构成第二NPN型晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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