[发明专利]一种局域电场增强忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 201810485851.8 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108565338A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李祎;李灏阳;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种局域电场增强忆阻器及其制备方法，所述忆阻器包括：下电极、功能层和上电极，所述功能层夹在上电极和下电极之间形成三明治结构，所述下电极上侧具有中轴对称的矩形突起；所述上电极下侧与所述下电极形状互补。本发明与现有技术相比，利用纳米压印结合ALD的方式制备得到器件，通过ALD保形性的特点，使得上下电极都具有突起的结构。由于其边缘棱处的局域电场相较于上电极其他部位强度有较大差异，而ALD制备的功能层存在的缺陷较少，导电丝形成位置的随机性大大降低，从而提高器件的一致性与稳定性；同时由于纳米压印可反复使用，极大的降低了制备的难度与成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 电极 下电极 功能层 忆阻器 电场增强 纳米压印 随机性 三明治结构 电场 矩形突起 上下电极 形状互补 中轴对称 保形性 边缘棱 导电丝 突起 | ||
【主权项】：
1.一种局域电场增强忆阻器，所述忆阻器包括：下电极、功能层和上电极，所述功能层夹在所述上电极和所述下电极之间形成三明治结构，其特征在于，所述下电极上侧具有中轴对称的矩形突起；所述上电极下侧与所述下电极形状互补。
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