[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201810487978.3 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108767016B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王玲;林奕呈;盖翠丽;徐攀 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/34;H01L21/44;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 解婷婷;曲鹏 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，其中，薄膜晶体管包括：设置在衬底基板一侧的第一栅极、有源层、第二栅极和源漏电极；其中，有源层设置在第一栅极远离衬底基板的一侧；第二栅极设置在第一栅极远离衬底基板的一侧；源漏电极设置在第二栅极远离衬底基板的一侧；源漏电极在衬底基板上的正投影与第二栅极在衬底基板上的正投影存在重叠区域。本发明实施例避免后续工艺中氢原子进入有源层，避免薄膜晶体管的阈值电压负漂，降低了薄膜晶体管的漏电流，进而保证了光学检测时暗电流变小以及信噪比，能够准确地对显示器进行光学补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：设置在衬底基板一侧的第一栅极、有源层、第二栅极和源漏电极；其中，所述有源层设置在所述第一栅极远离所述衬底基板的一侧；所述第二栅极设置在所述有源层远离所述衬底基板的一侧；所述源漏电极设置在所述第二栅极远离衬底基板的一侧；所述源漏电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。
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