[发明专利]一种超低功耗的修调码值产生电路有效

专利信息
申请号: 201810493177.8 申请日: 2018-05-22
公开(公告)号: CN108733128B 公开(公告)日: 2020-02-18
发明(设计)人: 李泽宏;罗仕麟;洪至超;熊涵风;张成发;时传飞;赵念 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种超低功耗的修调码值产生电路,属于电子电路技术领域。包括控制信号产生模块、修调码值生成模块和修调码值保存输出模块,其中控制信号产生模块用于产生控制信号控制修调码值生成模块是否正常工作,同时产生时钟信号控制修调码值保存输出模块将修调码值生成模块产生的修调码值保存;修调码值生成模块通过控制熔丝产生所需的修调码值,修调码值保存输出模块的输入端连接产生单元的输出端,其时钟端连接时钟信号,用来保存并输出修调码值。本发明在保存并输出产生的修调码值之后电路进入复位状态,修调码值的产生到输出只需产生一次时钟信号,减少了电流的损耗,大大降低了电路的功耗。
搜索关键词: 一种 功耗 修调码值 产生 电路
【主权项】:
1.一种超低功耗的修调码值产生电路,其特征在于,包括控制信号产生模块、修调码值生成模块和修调码值保存输出模块,所述控制信号产生模块用于产生控制信号(PD_N)和时钟信号(CK),所述控制信号(PD_N)用于控制所述修调码值生成模块,所述时钟信号(CK)用于控制所述修调码值保存输出模块;所述修调码值生成模块包括基准比较单元和产生单元,所述基准比较单元包括第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2)、第四NMOS管(NM4)、第一PMOS管(PM1)和第一电阻(R1),第一NMOS管(NM1)的漏极连接基准电流(Iref),其栅极连接第二NMOS管(NM2)的栅极和第四NMOS管(NM4)的漏极并作为所述基准比较单元的第一输出端,其源极连接第二NMOS管(NM2)和第四NMOS管(NM4)的源极并接地(GND);第四NMOS管(NM4)的栅极连接所述控制信号(PD_N);第二NMOS管(NM2)的漏极连接第一PMOS管(PM1)的栅极和漏极并作为所述基准比较单元的第二输出端;第一电阻(R1)的一端连接电源电压(VDD),另一端连接第一PMOS管(PM1)的源极;所述产生单元包括第二PMOS管(PM2)、熔丝、第三NMOS管(NM3)和第五NMOS管(NM5),第三NMOS管(NM3)的栅极连接所述基准比较单元的第一输出端,其漏极连接第五NMOS管(NM5)和第二PMOS管(PM2)的漏极并作为所述产生单元的输出端,其源极连接第五NMOS管(NM5)的源极并接地(GND);第五NMOS管(NM5)的栅极连接所述控制信号(PD_N);第二PMOS管(PM2)的栅极连接所述基准比较单元的第二输出端,其源极连接熔丝的一端并作为熔丝控制端;熔丝的另一端连接电源电压(VDD);所述修调码值保存输出模块的输入端连接所述产生单元的输出端,其时钟端连接所述时钟信号(CK),其输出端输出所述修调码值。
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