[发明专利]一种可控的外延生长的分级结构的纳米复合材料、制备方法及其应用

摘要

本发明提供了一种可控的外延生长的分级结构的纳米复合材料、制备方法及其应用，以纳米带状的三氧化钼为前驱体，用硫和硒同时在其表面刻蚀而形成外延生长的分级结构的多孔片状的MoS_2(1‑x)Se_2x的纳米复合材料，且在保证分级结构的完整性的前提下调整硫和硒的比例制备出不同比例的分级结构的MoS_2(1‑x)Se_2x纳米复合材料，从而优化材料的电化学性能。与现有技术相比，本发明制备的产物兼容性高且形貌可控，此复合材料具有很好的兼容性，很高的导电性、大比表面积和结构稳定性，生产成本低，重现性好，在储能方面具有很大潜在的应用价值。

主权项

1.一种可控的外延生长的分级结构的纳米复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：S1：将钼酸钠溶解于二次蒸馏水中并加入盐酸溶液，得混合溶液，将混合溶液转移至高温反应釜中，水热反应，结束后，自然冷却至室温，之后，通过离心，收集产物，洗涤、真空干燥，即可得纳米带状的三氧化钼前驱体；S2：将步骤S1合成的纳米带状三氧化钼加入到二次蒸馏水中搅拌至溶液均匀，再加入盐酸溶液、硫脲、二氧化硒和硼氢化钠，搅拌，再将所得混合溶液转移至高温反应釜中，水热反应，结束后，自然冷却至室温，之后，通过离心，收集产物，洗涤、真空干燥，得外延生长的MoS_2（1‑x）Se_2x分级结构的纳米复合材料；步骤S2中三氧化钼、硫脲、二氧化硒、硼氢化钠和盐酸中HCl的摩尔比1:1.9‑1.5:0.1‑0.5:4:10；步骤S2中所得产物为得外延生长的MoS_2（1‑x）Se_2x分级结构的纳米复合材料，x=0.05‑0.25。