[发明专利]用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备有效
申请号: | 201810494227.4 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN109023310B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | G·克利须那;R·帕蒂尔;H·K·帕纳瓦拉皮尔库马兰库提;S·卡帕迪亚;S·库纳卡特 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于半导体处理腔室隔离以实现减少的颗粒和改善的均匀性的方法和设备。本公开内容的实现方式总体涉及用于在基板上均匀沉积薄膜的设备和方法。在一个实现方式中,等离子体处理腔室包括腔室主体,腔室主体包括腔室壁、腔室底板和盖支撑件。等离子体处理腔室进一步包括基板支撑组件,基板支撑组件至少部分地设置在腔室主体内并配置成支撑基板。等离子体处理腔室进一步包括盖组件,盖组件设置在支撑组件上方并定位在盖支撑件上,其中盖组件和腔室主体限定第一处理容积。等离子体腔室进一步包括底部隔离组件,底部隔离组件包围基板支撑组件的至少一部分并可从装载位置竖直地移动到处理位置。当底部隔离组件在处理位置中时,在底部隔离组件与盖组件之间形成密封。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 隔离 实现 减少 颗粒 改善 均匀 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理腔室,包括:腔室主体,所述腔室主体包括腔室壁、腔室底板和盖支撑件;基板支撑组件,所述基板支撑组件至少部分地设置在所述腔室主体内并配置成支撑基板;盖组件,所述盖组件设置在所述支撑组件上方并定位在所述盖支撑件上,其中所述盖组件和所述腔室主体限定第一处理容积;和底部隔离组件,所述底部隔离组件包围所述基板支撑组件的至少一部分并可从装载位置竖直地移动到处理位置,其中当所述底部隔离组件在所述处理位置中时,在所述底部隔离组件与所述盖组件之间形成密封。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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