[发明专利]石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构及方法有效
| 申请号： | 201810495597.X | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108682663B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 赵妙;刘洪刚;张国斌;吴宗刚;常虎东;孙兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构氮化镓基HEMT器件倒装封装结构及方法，该封装结构自下而上依次包括基板、形成于基板上的绝缘介质层、形成于绝缘介质层上的散热层、制备在散热层上的源电极焊盘、漏电极焊盘和栅电极焊盘，散热层为石墨烯散热层或碳纳米管散热层；还包括氮化镓基HEMT器件，氮化镓基HEMT器件包括外延层结构和制备在外延层结构上的源电极、漏电极和栅电极；源电极、漏电极和栅电极分别与源电极焊盘、漏电极焊盘和栅电极焊盘电连接。本发明利用石墨烯或碳纳米管作为散热层材料，结合倒装封装结构，改善了芯片与散热器的接触，提高热传导面积，大幅降低器件热阻，提升了器件的散热性能和长期工作可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 实现 gan hemt 高效 散热 倒装 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯实现GaN基HEMT高效散热的倒装结构，其特征在于，所述倒装封装结构自下而上依次包括基板、形成于所述基板上的绝缘介质层、形成于所述绝缘介质层上的散热层、制备在所述散热层上的源电极焊盘、漏电极焊盘和栅电极焊盘，所述散热层为石墨烯散热层或碳纳米管散热层；所述倒装封装结构还包括氮化镓基HEMT器件，所述氮化镓基HEMT器件包括外延层结构和制备在所述外延层结构上的源电极、漏电极和栅电极；所述源电极、漏电极和栅电极分别与所述源电极焊盘、漏电极焊盘和栅电极焊盘电连接。
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