[发明专利]集成电路器件有效
申请号: | 201810499974.7 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN108962913B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | S.库查努里;S.拉斯托吉;R.拉杰夫;朴哲弘;梁在锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/118 | 分类号: | H01L27/118 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括:在第一型式逻辑单元中在第一方向上平行地布置的一对参考导电线以及在第二型式逻辑单元中平行地布置的一对交换导电线,其中所述一对参考导电线和所述一对交换导电线中的在不同布线轨迹中的一个参考导电线和一个交换导电线具有相同的平面形状和相同的长度,并延伸以交叉第一型式逻辑单元和第二型式逻辑单元之间的单元边界。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路器件,包括:多条参考导电线,在由第一单元边界限定的第一逻辑单元区域内在第一方向上延伸,所述多条参考导电线沿着彼此平行地布置的多条布线轨迹延伸;和多条交换导电线,在由第二单元边界限定的第二逻辑单元区域中沿着所述多条布线轨迹延伸,其中所述多条参考导电线中的至少一条参考导电线包括从所述第一逻辑单元区域跨过所述第一单元边界延伸到所述第二逻辑单元区域中的第一末端部分,并且其中所述多条交换导电线中的至少一条交换导电线包括从所述第二逻辑单元区域跨过所述第二单元边界延伸到所述第一逻辑单元区域中的第一对应末端部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810499974.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种三维半导体存储器及其制备方法
- 下一篇:电子装置与其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的