[发明专利]静电保护器件

摘要

本发明提供一种静电保护器件，包括衬底，在衬底内设有深N阱，在深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，第一N阱内设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，第二N+注入区跨接在第一N阱与第一P阱之间，在第一P阱内设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在第二N阱内设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，第五N+注入区跨接在第一P阱与第二N阱之间，第一N阱、第一P阱、以及第二N阱组成第一NPN结构，第二N+注入区、第一P阱以及第三N+注入区组成第二NPN结构。本发明提出的静电保护器件，可提高维持电压，降低触发电压，增强静电泄放能力。

主权项

1.一种静电保护器件，其特征在于，包括衬底，在所述衬底内设有深N阱，在所述深N阱内从左到右依次设有第一N阱、第一P阱以及第二N阱，在所述第一N阱内从左到右依次设有第一N+注入区、第一P+注入区以及第二N+注入区，所述第二N+注入区跨接在所述第一N阱与所述第一P阱之间，在所述第一P阱内依次设有第三N+注入区、第二P+注入区以及第四N+注入区，在所述第二N阱内依次设有第五N+注入区、第三P+注入区以及第六N+注入区，所述第五N+注入区跨接在第一P阱与所述第二N阱之间，所述第一N阱、所述第一P阱、以及所述第二N阱组成第一NPN型晶体管，所述第二N+注入区、所述第一P阱以及所述第三N+注入区组成第二NPN型晶体管。