[发明专利]一种像素电极的制备方法、像素电极和显示面板有效
申请号: | 201810507408.6 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108803159B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 孟小龙 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种像素电极的制备方法,该制备方法简单高效,成本低,可用于大规模工业化生产。本发明还提供了一种的像素电极,包括:基底,和设置在所述基底的像素区上的多个支电极,所述多个支电极包括交替间隔设置的第一支电极和第二支电极构成,所述第一支电极包括依次层叠在所述基底上的第一透明导电层和第一透明金属氧化物层,所述第二支电极包括依次层叠在所述基底上的第二透明导电层和第二透明金属氧化物层。该像素电极具有高穿透率和高解析度。本发明还提供了一种显示面板。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 电极 制备 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种像素电极的制备方法,其特征在于,包括:提供一基底,在所述基底上依次沉积透明导电层和金属薄膜层;在所述金属薄膜层上涂布光阻材料,图案化处理并在像素区形成依次交替设置的多个第一光阻层和多个第二光阻层,所述第一光阻层的厚度小于所述第二光阻层的厚度,刻蚀非像素区的所述金属薄膜层和所述透明导电层至暴露所述基底;对所述第一光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理,去除所述第一光阻层,并将所述第一光阻层覆盖的所述金属薄膜层氧化形成第一透明金属氧化物层;部分灰化所述第二光阻层,使所述第二光阻层两端都缩短距离X以使所述金属薄膜层部分暴露,刻蚀部分暴露的所述金属薄膜层及下方的所述透明导电层,使所述透明导电层形成交替间隔设置的第一透明导电层和第二透明导电层,所述第一透明导电层与所述第一透明金属氧化物层构成第一支电极;剥离所述部分灰化的所述第二光阻层,并将暴露的所述金属薄膜层氧化形成第二透明金属氧化物层,所述第二透明导电层与所述第二透明金属氧化物层构成第二支电极,所述第一支电极和所述第二支电极交替间隔设置,所述间隔的宽度大小为距离X。
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