[发明专利]在FINFET SRAM阵列中减少鳍片宽度以减轻低电压带位故障的方法有效
| 申请号： | 201810509581.X | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108962826B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张晓强;臧辉;R·R·坦卡勒克什米;兰迪·W·曼 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在FINFET SRAM阵列中减少鳍片宽度以减轻低电压带位故障的方法，其中，一减少集成电路中的鳍片宽度的方法包括氧化鳍片阵列中的至少一鳍片的暴露部分导致至少一鳍片的暴露部分的宽度减少。在氧化期间，第一硬掩模可设置在鳍片阵列上面，除了至少一鳍片的暴露部分以外。第二硬掩模可选地设置于在第一硬掩模下面的鳍片阵列上面，且在至少一鳍片的暴露部分的氧化期间，覆盖至少一鳍片的暴露部分的一部分。氧化至少一鳍片的暴露部分可发生于在形成浅沟槽隔离(STI)于该鳍片阵列中的数对鳍片间前，在形成STI于该鳍片阵列的数对鳍片间后，及/或在取代金属栅极工艺期间于移除虚拟栅极后。 | ||
| 搜索关键词： | finfet sram 阵列 减少 宽度 减轻 电压 故障 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少集成电路(IC)中的鳍片宽度的方法，该方法包含：氧化一鳍片阵列中的至少一鳍片的一暴露部分，其中，除了该至少一鳍片的该暴露部分以外，设置一第一硬掩模于该鳍片阵列上面，且其中，该氧化减少该至少一鳍片的该暴露部分的一宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司，未经格芯(美国)集成电路科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810509581.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体元件及其制作方法
- 下一篇：阵列基板中双层金属层的制造方法以及阵列基板
