[发明专利]C-2位和C-4位修饰的1-去氧紫杉烷类化合物及其制备方法有效
| 申请号： | 201810519535.8 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108530400B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 林海霞;唐平;崔永梅;肖艳茹;谢程虎 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C07D305/14 | 分类号： | C07D305/14;A61P35/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种C‑2位和C‑4位修饰的1‑去氧紫杉烷类化合物及其制备方法。该化合物的结构是： |
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| 搜索关键词： | 修饰 紫杉 化合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种C‑2位和C‑4位修饰的1‑去氧紫杉烷类化合物，其特征在于该类化合物的结构式为：![]()
其中，R1为叔丁氧基或正戊基；R2为甲氧基苯甲酰基或氟苯甲酰基；R3为环丙甲酰基。
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