[发明专利]一种掩模版及制备方法在审
申请号: | 201810521952.6 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108796434A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 张粲;王灿 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种掩模版及制备方法,掩模版,包括本体以及形成于本体上的掩模图形,本体采用硅基制备,还包括形成于本体上的多个支撑结构,多个支撑结构均匀布置在本体上、且位于掩模图形所围成的区域内,用于支撑本体及掩模图形,在上述掩模版中,通过在硅基制成的掩模版中增加支撑结构支撑本体及掩模图形,以增加硅基掩膜版的机械强度,使得硅基掩膜版在工作时的可靠性较好,多个支撑结构均匀布置且位于掩模图形所围成的区域内能够保证其对掩膜版的支撑力沿本体的延伸面分布均匀,进而保证掩膜版整体受力均匀,避免掩膜版某一位置因受力过大而破碎以及因受力不均而下垂的现象,进而保证掩膜版的可靠性较好。 | ||
搜索关键词: | 掩膜版 掩模图形 掩模版 支撑结构 硅基 制备 均匀布置 受力不均 整体受力 延伸面 支撑力 保证 下垂 受力 支撑 破碎 | ||
【主权项】:
1.一种掩模版,包括本体以及形成于所述本体上的掩模图形,所述本体采用硅基制备,其特征在于,还包括形成于所述本体上的多个支撑结构,所述多个支撑结构均匀布置在所述本体上、且位于所述掩模图形所围成的区域内,用于支撑所述本体及掩模图形。
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