[发明专利]阵列基板、显示面板及显示器在审
| 申请号： | 201810523886.6 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108761939A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 韩约白;成露 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1345 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开一种阵列基板、显示面板及显示器。本申请增设至少一金属层，该增设的金属层与现有GOA电路的第一金属层接触，并且与现有GOA电路的第二金属层和/或多晶硅层至少部分绝缘重叠以形成电容，相当于增加了至少一个串联的电容，GOA电路的电容容量得以增大，而电容面积仍为现有电容所占的面积，即，在不增加电容面积的同时增大电容容量，换言之，在不减少电容容量的情况下减少电容面积，从而有利于LCD的窄边框设计。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 电容容量 显示面板 阵列基板 金属层 显示器 增设 第二金属层 第一金属层 窄边框设计 多晶硅层 绝缘 申请 串联 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其GOA电路包括依次叠设的多晶硅层、第一绝缘层、第一金属层、第二绝缘层以及第二金属层，所述多晶硅层和第一金属层至少部分绝缘重叠以形成电容，所述第二金属层和第一金属层至少部分绝缘重叠以形成电容，其特征在于，所述GOA电路还包括与所述第一金属层接触的至少一金属层，所述至少一金属层与所述第二金属层和/或多晶硅层至少部分绝缘重叠以形成电容。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司，未经武汉华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810523886.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
