[发明专利]一种发光二极管芯片的测试方法在审
| 申请号： | 201810524170.8 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110544641A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;单立英;肖成峰;任忠祥 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨树云<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管芯片的测试方法，包括：A、制备发光二极管芯片，包括步骤如下：(1)在导电衬底上生长发光二极管芯片外延层；发光二极管芯片外延层包括DBR、有源区、窗口层；(2)在步骤(1)制得的发光二极管芯片外延层上制备P电极；(3)在制得的发光二极管芯片外延层表面制备若干个分割槽，所述分割槽贯通整个所述发光二极管芯片外延层延伸至所述导电衬底；(4)对导电衬底减薄，并生长N电极；B、测试发光二极管芯片。本发明既保证GaAs基发光二极管芯片发光区的完整性，且测试结果与制备完成GaAs基发光二极管芯片结果完全一致，避免了因不一致造成的下游客户端质量问题，提升了芯片的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管芯片 外延层 制备 导电 分割槽 衬底 测试发光二极管 芯片 外延层表面 衬底减薄 下游客户 质量问题 不一致 窗口层 发光区 生长 源区 测试 贯通 延伸 保证 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的测试方法，其特征在于，包括：/nA、制备发光二极管芯片，包括步骤如下：/n(1)在导电衬底上生长发光二极管芯片外延层；/n(2)在步骤(1)制得的所述发光二极管芯片外延层上制备P电极；/n(3)在制得的所述发光二极管芯片外延层表面制备若干个分割槽，所述分割槽贯通整个所述发光二极管芯片外延层延伸至所述导电衬底；/n(4)对所述导电衬底减薄，并生长N电极；/nB、测试发光二极管芯片。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
