[发明专利]一种晶圆片光刻工艺有效
申请号: | 201810534838.7 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108648991B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 侯玉闯;薛鹏 | 申请(专利权)人: | 徐州诚凯知识产权服务有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 221400 江苏省徐*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于晶圆片光刻技术领域,具体说是一种晶圆片光刻工艺,该工艺采用的光刻机用晶圆片匀胶装置包括固定框、基座、水平调节装置、固定支架、旋转装置、真空吸盘、真空发生器、可调节弹簧和感应装置;所述基座位于固定框上部;所述水平调节装置固定在固定框内;所述固定支架安装在基座上方;所述旋转装置安装在固定支架上;所属真空吸盘位于旋转装置上方;所述真空发生器位于真空吸盘右下方,真空发生器与真空吸盘相连通;所述可调节弹簧数量为三,可调节弹簧之间呈120°分布,可调节弹簧位于基座与固定框之间;所述感应装置位于固定框上方;本装置可以有效保证晶圆片水平固定在真空吸盘上,从而保证晶圆片表面涂覆胶的厚度均匀。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶圆片 光刻 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆片光刻工艺,其特征在于,该光刻工艺包括以下步骤:步骤一:将准备好的晶圆片固定在光刻机用晶圆片匀胶装置上进行匀胶处理;步骤二:步骤一中匀胶结束后,取出晶圆片,将涂好胶的晶圆片通过光刻机的对位系统和光刻版套准后,用紫外线对晶圆片进行曝光处理;步骤三:步骤二中曝光结束后,用显影液取出已曝光部分的光刻胶,在晶圆片上形成所需的图形;步骤四:步骤三中显影结束后,将晶圆片通过红外线辐射加热法烘干,以提高光刻胶粘附性和抗腐蚀能力;步骤五:步骤四中晶圆片烘干后,通过干刻蚀法对晶圆片进行刻蚀;步骤六:步骤五中晶圆片刻蚀完成后,通过干法去胶将晶圆片表面的光刻胶除去;其中步骤一所述的光刻机用晶圆片匀胶装置包括固定框(1)、基座(2)、水平调节装置(3)、固定支架(4)、旋转装置(5)、真空吸盘(6)、真空发生器(7)、可调节弹簧(8)和感应装置(9);所述基座(2)位于固定框(1)上部,基座(2)用于安装固定支架(4);所述水平调节装置(3)固定在固定框(1)内,水平调节装置(3)用于调节基座(2)的水平;所述固定支架(4)安装在基座(2)上方,固定支架(4)用于安装旋转装置(5);所述旋转装置(5)安装在固定支架(4)上,旋转装置(5)用于带动真空吸盘(6)旋转;所属真空吸盘(6)位于旋转装置(5)上方,真空吸盘(6)用于固定晶圆;所述真空发生器(7)位于真空吸盘(6)右下方,真空发生器(7)与真空吸盘(6)相连通,真空发生器(7)用于为真空吸盘(6)提供真空条件;所述可调节弹簧(8)数量为三,可调节弹簧(8)之间呈120°分布,可调节弹簧(8)位于基座(2)与固定框(1)之间,可调节弹簧(8)上端与基座(2)底端相连,可调节弹簧(8)下端与固定框(1)顶部相连,可调节弹簧(8)用于固定基座(2),同时可调节弹簧(8)还用于调节基座(2)的水平;所述感应装置(9)位于固定框(1)上方,感应装置(9)包括固定杆(91)和感应器(92),感应装置(9)用于判断基座(2)是否水平;所述固定杆(91)数量为二,固定杆(91)左右对称放置在基座(2)两侧,固定杆(91)用于固定感应器(92);所述感应器(92)固定在固定杆(91)上,感应器(92)用于判断基座(2)是否水平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐州诚凯知识产权服务有限公司,未经徐州诚凯知识产权服务有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810534838.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种二极管生产工艺
- 下一篇:一种氧化锌石墨烯场效应管的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造