[发明专利]一种太阳能电池硅片槽式清洗方法在审
| 申请号： | 201810537928.1 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108766869A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王永伟;朱杰;卫春燕;王猛;陈亮;张维;陈林 | 申请（专利权）人： | 苏州日弈新电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 耿丹丹 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池硅片槽式清洗方法，属于晶硅太阳能电池技术领域。本发明的方法先采用氨水、双氧水和水的混合液对太阳能电池硅片进行处理；再使用盐酸、双氧水和水的混合液或者盐酸、双氧水、氢氟酸和水的混合液对太阳能电池硅片进行处理；然后进行慢提拉脱水处理；最后烘干处理得到太阳能电池硅片。本发明的技术方案适用于单晶、多晶和类单晶，基体选择不受限制，并且本发明的清洗液配制方便，节约成本。采用本发明的清洗去除方法，可以彻底去除这些残留的金属离子或者其它杂质，从而保证了太阳能电池片的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池硅片 双氧水 混合液 槽式清洗 单晶 去除 盐酸 晶硅太阳能电池 光电转换效率 太阳能电池片 氨水 烘干处理 金属离子 脱水处理 氢氟酸 清洗液 受限制 再使用 多晶 提拉 配制 清洗 残留 节约 保证 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池硅片槽式清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)使用氨水、双氧水和水的混合液对太阳能电池硅片进行处理；(2)将步骤(1)处理后的太阳能电池硅片进行水洗，然后使用盐酸、双氧水和水的混合液或者盐酸、双氧水、氢氟酸和水的混合液对太阳能电池硅片进行处理；(3)如果步骤(2)使用盐酸、双氧水和水的混合液，则将步骤(2)处理后的太阳能电池硅片进行水洗，然后使用氢氟酸和水的混合液对太阳能电池硅片进一步处理；如果步骤(2)使用盐酸、双氧水、氢氟酸和水的混合液，则直接进行步骤(4)；(4)将步骤(3)的太阳能电池硅片进行水洗，然后进行慢提拉脱水处理；(5)将步骤(4)处理后的太阳能电池硅片进行烘干处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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