[发明专利]具有穿硅过孔的嵌入式桥接器在审
| 申请号： | 201810538657.1 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216314A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | A·S·维迪雅;R·V·马哈詹;D·A·拉奥拉内;P·R·斯塔特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种装置，包括：衬底，具有与第二侧相对的第一侧，并且包括设置在封装衬底的第一侧上的第一导电层以及设置在封装衬底的第一侧和第二侧之间的第二导电层，所述衬底具有设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的电介质材料；以及设置在所述衬底内的至少一个桥接管芯，所述至少一个桥接管芯具有与第二侧相对的第一侧，并且包括从所述至少一个桥接管芯的第一侧延伸到第二侧的多个过孔，其中，设置在衬底的第一侧和第二侧之间的第二导电层耦合到从所述至少一个桥接管芯的第一侧延伸到所述至少一个桥接管芯的第二侧的多个过孔。 | ||
| 搜索关键词： | 桥接管 衬底 第二导电层 第一导电层 电介质材料 嵌入式 桥接器 耦合到 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种具有桥接管芯的装置，包括：衬底，具有与第二侧相对的第一侧，并且包括设置在封装衬底的第一侧上的第一导电层以及设置在封装衬底的第一侧和第二侧之间的第二导电层，所述衬底具有设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的电介质材料；以及至少一个桥接管芯，设置在所述衬底内，所述至少一个桥接管芯具有与第二侧相对的第一侧，并且包括从所述至少一个桥接管芯的第一侧延伸到第二侧的多个过孔，其中，设置在所述衬底的第一侧和第二侧之间的所述第二导电层耦合到从所述至少一个桥接管芯的第一侧延伸到所述至少一个桥接管芯的第二侧的多个过孔。
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