[发明专利]一种高电源抑制比快速响应LDO有效
申请号: | 201810543856.1 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108733118B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 魏榕山;林家城;杨培祥 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350002 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明涉及一种高电源抑制比快速响应LDO。包括误差放大器,电阻R1、R2,MOS管Mp、M1、M2、M3,电容C1、CL,误差放大器的第一输入端连接至基准电压源,误差放大器的第二输入端与R1的一端、R2的一端连接,误差放大器的负载管端与R1的另一端、M2的第一端、Mp的第二端、CL的一端相连接,并作为LDO电路的输出端,误差放大器的输出端与C1的一端、M2的控制端连接,M1的第一端与Mp的第一端相连接至VDD,M1的第二端与M1的控制端、Mp的控制端、M3的第二端连接,M2的第二端与C1的另一端、M3的第一端相连接并经一电流源与R2的另一端相连接至GND,M3的控制端连接作为偏置电压输入端,CL的另一端连接至GND。本发明具有高电源抑制比、快速响应且功耗低。 | ||
搜索关键词: | 一种 电源 抑制 快速 响应 ldo | ||
【主权项】:
1.一种高电源抑制比快速响应LDO,其特征在于,包括误差放大器,电阻R1、R2,MOS管Mp、M1、M2、M3,电容C1、CL,所述误差放大器的第一输入端连接至基准电压源,误差放大器的第二输入端与R1的一端、R2的一端连接,误差放大器的负载管端与R1的另一端、M2的第一端、Mp的第二端、CL的一端相连接,并作为整个LDO电路的输出端,误差放大器的输出端与C1的一端、M2的控制端连接,M1的第一端与Mp的第一端相连接至VDD,M1的第二端与M1的控制端、Mp的控制端、M3的第二端连接,M2的第二端与C1的另一端、M3的第一端相连接并经一电流源与R2的另一端相连接至GND,M3的控制端连接作为偏置电压输入端,CL的另一端连接至GND。
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