[发明专利]双大马士革通孔工艺的返工方法

摘要

本发明公开了一种双大马士革通孔工艺的返工方法，包括如下步骤：步骤一、双大马士革的通孔穿过第一低K介质层，在第一低K介质层上形成有第二DARC层，在第二DARC层的表面上形成有图形化的第三金属硬掩模层；在形成有第三金属硬掩模层的第二DARC层上涂布由ODL层、SHB层和PR层叠加而成的基于涂层的用于定义通孔的三层结构。步骤二、进行通孔的光刻显影。步骤三、进行显影后检测，在显影后检测超范围时进行去除三层结构的返工工艺；返工工艺中PR层、SHB层和ODL层都采用干法刻蚀工艺去除且是在同一干法刻蚀设备中依次去除。本发明能减少返工工艺的步骤，提高返工效率和质量。

主权项

1.一种双大马士革通孔工艺的返工方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、双大马士革的通孔穿过第一低K介质层，在所述第一低K介质层上形成有第二DARC层，在所述第二DARC层的表面上形成有图形化的第三金属硬掩模层；定义所述通孔的掩模结构包括基于涂层的三层结构，三层结构分别为ODL层、SHB层和PR层；在形成有所述第三金属硬掩模层的所述第二DARC层上涂布所述三层结构；步骤二、进行所述通孔的光刻显影，显影后的所述PR层中将所述通孔的形成区域打开；步骤三、进行显影后检测，在所述显影后检测超范围时进行去除所述三层结构的返工工艺；去除所述三层结构的返工工艺中所述PR层、所述SHB层和所述ODL层都采用干法刻蚀工艺去除且是在同一干法刻蚀设备中依次去除。